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            ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

            成樂首頁    新聞資訊    行業動態    ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

            全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。

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            此次新開發的系列產品采用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分地發揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝(TO-247N)相比,開關損耗可降低約35%,非常有助于進一步降低各種設備的功耗。

            另外,羅也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,該評估板中配置有非常適用于SiC元器件的驅動的ROHM柵極驅動器IC(BM6101FV-C)、各種電源IC及分立產品,可為客戶提供輕松進行元器件評估的解決方案。
            本系列產品已于2019年8月起以月產50萬個的規模逐步投入量產(樣品價格2,100日元起,不含稅)。生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡)。此外,本系列產品和評估板已于2019年9月起開始網售,可從AMEYA360、icHub購買。

            近年來,隨著AI和IoT的發展與普及,對云服務的需求日益增加,與此同時,在全球范圍對數據中心的需求也隨之增長。數據中心所使用的服務器正在向大容量、高性能方向發展,而如何降低功耗量就成為一個亟需解決的課題。另一方面,以往服務器的功率轉換電路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,損耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特別是采用了TO-247-4L封裝的SiC MOSFET,與以往封裝相比,可降低開關損耗,因此有望應用于服務器、基站、太陽能發電等高輸出應用中。

            2015年,ROHM于全球第一家成功實現溝槽柵結構SiC MOSFET的量產,并一直致力于領先于行業的產品開發。此次新開發出650V/1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET,未來也會繼續推進創新型元器件的開發,同時提供包括非常適用于SiC驅動的柵極驅動器IC等在內的解決方案,為進一步降低各種設備的功耗貢獻力量。

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            <特點>

            采用4引腳封裝(TO-247-4L),開關損耗降低約35%

            在傳統的3引腳封裝(TO-247N)中,源極引腳的電感分量※2)會引起柵極電壓下降,并導致開關速度延遲。

            此次,SCT3xxx xR系列所采用的4引腳封裝(TO-247-4L),可以分離電源源極引腳和驅動器源極引腳,因此,可減少電感分量的影響。這樣,能夠充分地發揮出SiC MOSFET的高速開關性能,尤其是可以顯著改善導通損耗。與以往產品相比,導通損耗和關斷損耗合起來預計可降低約35%的損耗。

            https://www.rohm.com.cn/documents/11413/7013540/sicmosfet04.jpg/0560aff6-f947-264e-cebf-700a2009c103?t=1569305900033

            https://www.rohm.com.cn/documents/11413/7013540/sicmosfet05.jpg/5b1a6994-e268-5ae3-8bcd-7e0a9afbebd9?t=1569305901833

            <產品陣容>

            SCT3xxx xR系列是采用溝槽柵結構SiC MOSFET。此次新推出了共6款機型,其中包括650V的3款機型和1200V的3款機型。

            品名

            漏極-源極間
            電壓
            VDS[V]

            漏極-源極間
            導通電阻
            RDS(on)@25℃
            [(typ.)]

            漏極電流
            ID@25℃
            [A]

            漏極損耗
            PD [W]

            工作溫度范圍
            [℃]

            封裝

            https://www.rohm.com.cn/documents/11413/6927777/img_new_icon.png/74178d6a-797f-9410-e4d2-0ee6aecd225f?t=1562826112403
            SCT3030AR

            650

            30

            70

            262

            -55~+175

            TO-247-4L

            https://www.rohm.com.cn/documents/11413/6927777/img_new_icon.png/74178d6a-797f-9410-e4d2-0ee6aecd225f?t=1562826112403
            SCT3060AR

            60

            39

            165

            https://www.rohm.com.cn/documents/11413/6927777/img_new_icon.png/74178d6a-797f-9410-e4d2-0ee6aecd225f?t=1562826112403
            SCT3080AR

            80

            30

            134

            https://www.rohm.com.cn/documents/11413/6927777/img_new_icon.png/74178d6a-797f-9410-e4d2-0ee6aecd225f?t=1562826112403
            SCT3040KR

            1200

            40

            55

            262

            https://www.rohm.com.cn/documents/11413/6927777/img_new_icon.png/74178d6a-797f-9410-e4d2-0ee6aecd225f?t=1562826112403
            SCT3080KR

            80

            31

            165

            https://www.rohm.com.cn/documents/11413/6927777/img_new_icon.png/74178d6a-797f-9410-e4d2-0ee6aecd225f?t=1562826112403
            SCT3105KR

            105

            24

            134

             


















            <應用>

            服務器、基站、太陽能逆變器、蓄電系統、電動汽車的充電站等。

            <評估板信息>

            SiC MOSFET評估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配備了非常適用于SiC元器件驅動的ROHM柵極驅動器IC(BM6101FV-C)、各種電源IC及分立產品,可輕松進行元器件的評估。為了提供在同一條件下的評估環境,該評估板不僅可以評估TO-247-4L封裝的產品,還可安裝并評估TO-247N封裝的產品。另外,使用該評估板,可進行雙脈沖測試、Boost電路、兩電平逆變器、同步整流型Buck電路等評估。

            開始銷售時間 2019年9月
            評估板型號  P02SCT3040KR-EVK-001
            網售平臺   AMEYA360、icHub
            支持頁面   
            https://www.rohm.com.cn/power-device-support

            P02SCT3040KR-EVK-001

            <術語解說>

            ※1  溝槽柵結構

            溝槽(Trench)意為凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其側壁形成MOSFET柵極的結構。不存在平面型MOSFET在結構上存在的JFET電阻,比平面結構更容易實現微細化,有望實現接近SiC材料原本性能的導通電阻。

            ※2  電感分量

            表示電流變化時由電磁感應產生的電動勢大小的量。

             

            2019年9月25日 16:35
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