ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。

此次新開發的系列產品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。

另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT3040KR-EVK-001”，該評估板中配置有非常適用于SiC元器件的驅動的ROHM柵極驅動器IC（BM6101FV-C）、各種電源IC及分立產品，可為客戶提供輕松進行元器件評估的解決方案。
本系列產品已于2019年8月起以月產50萬個的規模逐步投入量產（樣品價格2,100日元起，不含稅）。生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡）。此外，本系列產品和評估板已于2019年9月起開始網售，可從AMEYA360、icHub購買。

近年來，隨著AI和IoT的發展與普及，對云服務的需求日益增加，與此同時，在全球范圍對數據中心的需求也隨之增長。數據中心所使用的服務器正在向大容量、高性能方向發展，而如何降低功耗量就成為一個亟需解決的課題。另一方面，以往服務器的功率轉換電路中，主要采用的是硅（Si）元器件，如今，損耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特別是采用了TO-247-4L封裝的SiC MOSFET，與以往封裝相比，可降低開關損耗，因此有望應用于服務器、基站、太陽能發電等高輸出應用中。

2015年，ROHM于全球第一家成功實現溝槽柵結構SiC MOSFET的量產，并一直致力于領先于行業的產品開發。此次新開發出650V／1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET，未來也會繼續推進創新型元器件的開發，同時提供包括非常適用于SiC驅動的柵極驅動器IC等在內的解決方案，為進一步降低各種設備的功耗貢獻力量。

＜特點＞

采用4引腳封裝（TO-247-4L），開關損耗降低約35％

在傳統的3引腳封裝（TO-247N）中，源極引腳的電感分量※2）會引起柵極電壓下降，并導致開關速度延遲。

此次，SCT3xxx xR系列所采用的4引腳封裝（TO-247-4L），可以分離電源源極引腳和驅動器源極引腳，因此，可減少電感分量的影響。這樣，能夠充分地發揮出SiC MOSFET的高速開關性能，尤其是可以顯著改善導通損耗。與以往產品相比，導通損耗和關斷損耗合起來預計可降低約35％的損耗。

＜產品陣容＞

SCT3xxx xR系列是采用溝槽柵結構的SiC MOSFET。此次新推出了共6款機型，其中包括650V的3款機型和1200V的3款機型。

＜應用＞

服務器、基站、太陽能逆變器、蓄電系統、電動汽車的充電站等。

＜評估板信息＞

SiC MOSFET評估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配備了非常適用于SiC元器件驅動的ROHM柵極驅動器IC（BM6101FV-C）、各種電源IC及分立產品，可輕松進行元器件的評估。為了提供在同一條件下的評估環境，該評估板不僅可以評估TO-247-4L封裝的產品，還可安裝并評估TO-247N封裝的產品。另外，使用該評估板，可進行雙脈沖測試、Boost電路、兩電平逆變器、同步整流型Buck電路等評估。

開始銷售時間　2019年9月
評估板型號　　P02SCT3040KR-EVK-001
網售平臺　　　AMEYA360、icHub
支持頁面　　　https://www.rohm.com.cn/power-device-support

＜術語解說＞

※1  溝槽柵結構

溝槽（Trench）意為凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其側壁形成MOSFET柵極的結構。不存在平面型MOSFET在結構上存在的JFET電阻，比平面結構更容易實現微細化，有望實現接近SiC材料原本性能的導通電阻。

※2  電感分量

表示電流變化時由電磁感應產生的電動勢大小的量。